MOS 4A、650V N沟道增强型场效应管

一、描述

沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

 二、特点


?  4A，650V，RDS(on)(典型值)=2.3Ω@VGS=10V      

?  低栅较电荷量 

?  低反向传输电容 

?  开关速度快  

?  提升了dv/dt 能力
联系人：贺生
手机：    微信同号     
座机：0755-23324035-802（直线）
Q           
邮箱：495013011@